陶瓷覆銅載板是高壓大功率IGBT模塊的重要組成部件,既具有陶瓷的高導熱、高電氣絕緣、較高機械強度等特性,又具有無氧銅的高導電性和優(yōu)良焊接性能,還能制作出各種圖形,是適用于SIC芯片、大功率IGBT模塊、半導體制冷制熱器件的封裝材料。
氮化硅(Si3N4),是一種以硅和氮為主要成分的無機非金屬材料,以其獨特的物理化學性質(zhì),在材料科學領(lǐng)域大放異彩。富樂華氮化硅陶瓷片,采用先進的制備工藝,不僅保留了氮化硅高硬度、高耐磨性、高熱穩(wěn)定性和良好的化學惰性,更在微觀結(jié)構(gòu)和性能表現(xiàn)上實現(xiàn)了優(yōu)化,強度更高、韌性更強、熱導更高。